Samsung начал серийное производство первых в индустрии 2 ГБ модулей видеопамяти GDDR6 для видеокарт следующего поколения

Компанія Samsung Electronics сьогодні повідомила про початок масового виробництва перших у індустрії модулів пам’яті GDDR6, призначених для використання у відеокартах, ігрових, мережевих і автомобільних пристроях, а також системах штучного інтелекту.

Модулі GDDR6-пам’яті ємністю 16 Гб (2 ГБ) виготовлені за 10 нм техпроцесу класу (у компанії уточнюють, що це значить техпроцес в межах від 10 до 19 нм), що вдвічі перевершує рішення попереднього покоління у вигляді GDDR5-чіпів об’ємом 8 Гб (1 ГБ), виконаних по 20 нм техпроцесу. Нова пам’ять забезпечує швидкість 18 Гбіт/с в розрахунку на один висновок (pin speed), що дозволяє передавати дані на швидкостях до 72 Гб/с, що у свою чергу більш ніж удвічі швидше, ніж у випадку зі старою пам’яттю GDDR5, яка видавала швидкість 8 Гбіт/с.

Використання нового схемодизайна дозволило використовувати більш низька напруга живлення 1,35 В, що знижує витрати енергії на 35% в порівнянні з модулями пам’яті GDDR5, працюючими від напруги 1,55 Ст. Більш «тонкий» техпроцес також дозволив підвищити ефективність виробництва приблизно на 30% в порівнянні з 20 нм стандартом.

На думку представників Samsung Electronics, старт масового виробництва пам’яті GDDR6 повинен зіграти надзвичайно важливу роль у більш швидку появу на ринку відеокарт наступного покоління, а також інших швидко зростаючих сегментів з високими вимогами до відеопам’яті, включаючи системи обробки 8K Ultra HD відео, віртуальної і доповненої реальності, а також штучного інтелекту.

Нагадаємо, що нещодавно Samsung почав серійний випуск другого покоління надшвидкої пам’яті High Bandwidth Memory-2 (HBM2) ємністю 8 ГБ, яка забезпечує сумарну пропускну здатність 307 ГБ/с (у першого покоління – 256 ГБ/с), що у 9,6 рази перевищує показник мікросхеми GDDR5 об’ємом 8 Гбіт, рівний 32 ГБ/с.

Джерело: Samsung